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中国存储芯片，开始正面挑战美光了？🧵 7月27日，长鑫存储（ $CXMT ）正式登陆上交所科创板！！ 长鑫存储目前在DRAM市场的产能位居全球第四，仅次于三星、SK海力士和美光。 $MU $SKHYNIX 随着AI投资持续增加，全球DRAM需求暴涨，过去一年价格一度上涨约6倍，美光等存储巨头的利润也因此大幅增长。 更值得关注的是，长鑫存储月产能到2026年底将超过30万片，接近美光的水平。 但产能接近，并不代表技术已经追上。 三星、SK海力士和美光目前都在使用“1c”工艺生产DRAM，而长鑫存储仍处于从“1a”向更先进工艺过渡的阶段。 业内普遍认为，长鑫存储技术上落后约两代，时间上落后约三年。由于制程不够先进，同样一片晶圆能够产出的存储容量更低，这也是它与三大巨头之间最大的差距。 接下来真正的关键，是长鑫存储能否在没有先进EUV光刻设备的情况下，依靠国产设备实现工艺微缩。 ASML的EUV设备对华出口限制正在加强，这意味着长鑫存储必须走一条更困难、但也更具战略意义的国产化路线。 长鑫存储的优势在于，公司吸收了不少来自欧洲DRAM厂商奇梦达的技术人员，拥有芯片设计和量产经验。 这类“从设计到量产”的实战经验，可能帮助它在国产设备体系下继续缩小差距。 所以，长鑫科技上市并不意味着中国存储芯片已经追上美光。 但它意味着： 中国正在用巨额资本扩大DRAM产能，同时用国产设备突破技术封锁。 如果长鑫存储最终成功扩产并追上先进制程，全球DRAM产业格局可能被重新改写，美光、三星和SK海力士都将面临更大的竞争压力。 中国存储芯片的关键一战，才刚刚开始！ #长鑫科技上市，全球存储竞争添变量